郝娟
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蒋百灵
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杨超
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冯林
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张彤晖
稀有金属
采用脉冲控制模式将气体放电伏安特性由磁控溅射离子镀的“正欧姆”区间引入到“反欧姆”区间,并在不同靶电流密度下制备了TiN薄膜.研究了正反欧姆区间伏安特性对薄膜微观结构及性能的影响.结果表明:在靶电流密度(Itd)大于0.2 A·cm-2的反欧姆区间,薄膜具有良好的表面质量和致密程度;且薄膜的硬度和膜/基结合强度分别由正欧姆区间Itd为0.11A·cm-2的9.9 GPa、4.5N提升到反欧姆区间Itd为0.38 A·cm-2的25.8 GPa、18N.
关键词:
反欧姆区
,
靶电流密度
,
TiN薄膜
,
离化率
