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CVD·SiC-C 梯度涂层中的残余应力及应力缓和

刘桂新 , 金宗哲 , 王廷籍

材料研究学报

本文采用热CVD 方法,在ZrB_2-SiC 复合陶瓷基体上制备CVD·SiC-C 梯度涂层。采用XRD,SEM,及X 射线应力分析方法,研究了CVD·SiC-C 梯度涂层的相组成、显微结构、残余应力及弯曲强度等性能。结果表明,CVD·SiC-C 梯度涂层可以缓解SiC 与ZrB_2基体间的热应力及界面应力,涂层中的残余应力得到明显缓解;高温退火处理对CVD·SiC-C 涂层中的残余应力亦有缓解作用;梯度涂层显著改善了基材的弯曲强度。

关键词: 热化学气相沉积 , gradient coating , residual stress , surface modification

热CVD制备定向竹节型碳纳米管生长机制分析

李刚 , 余宗胜 , 徐先锋

材料热处理学报

用热化学气相沉积(CVD)技术,用乙炔为碳源,氮气为载气,氢气为还原气体,氨气为刻蚀气体,在单晶硅上制备出定向竹节型结构碳纳米管薄膜.用透射电镜(TEM),扫描电镜(SEM)的X衍射能量色散能谱仪(EDS)和X射线衍射仪(XRD)分析碳纳米管的精细结构,成分和晶型及结晶度,并对制备的碳纳米管的生长机制进行分析和推测.结果表明:在生长碳纳米管的过程中起催化作用的是金属镍颗粒而不是碳化镍,催化剂颗粒呈不同的形貌存在碳纳米管顶部,并遵循顶端生长方式.

关键词: 热化学气相沉积 , 碳纳米管 , 生长机制 , 竹节型

SiO2/Si衬底上热化学气相沉积法直接生长石墨烯

陈彩云 , 于晓华 , 戴丹 , 江南 , 詹肇麟 , 刘忠 , 刘建雄

材料热处理学报

采用化学气相沉积法,以SiO2/Si为衬底、镍膜为催化层,研究不同催化层厚度对石墨烯生长的影响.选择拉曼光谱,透射电子显微镜等手段对石墨烯的层数和质量进行表征.结果表明,随着Ni膜厚度的增加,石墨烯的缺陷减小,而且层数也减少,当Ni膜厚度为300 nm时,可以在SiOJSi基板上获得高质量的单层石墨烯.

关键词: 石墨烯 , SiO2/Si , 镍膜 , 热化学气相沉积

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