赵云
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王兴涌
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尹文萱
高分子材料科学与工程
分别采用LiF和2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉（BCP）作为聚3-己基噻吩（P3HT）/[6,6]-苯基-C61-丁酸甲脂（PCBM）体系聚合物光伏电池阴极界面层,研究了高温后退火处理对不同界面层器件性能的影响。研究发现,LiF界面层的引入,在活性层和阴极界面之间形成了较强的偶极作用,从而改善了电池的性能,进一步高温热退火处理后仍能保持良好的界面作用,使器件的能量转换效率得到了进一步的提高。然而BCP界面层的引入,虽然阻挡了金属电极Al到PCBM的电子转移,导致复合减小,提高了器件的开路电压,但是在进一步高温后退火之后,BCP界面层的完整性遭到破坏,因此使得器件的能量转换效率降低。
关键词:
聚合物光伏电池
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热退火
,
阴极界面层
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开路电压
,
能量转换效率
刘洪涛
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桑文斌
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李万万
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闵嘉华
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李刚
稀有金属材料与工程
利用控制In气氛下的热处理工艺成功地制备了CdZnTe:In.不同In压下(Cd,Zn分压保持在平衡分压)的热处理实验结果表明:热处理后样品的电阻率可从6.75×105 Ω·cm提高到108～1010Ω·cm;并且随着In压的增加,导电类型逐渐由p型转变为n型.热处理后样品的电阻率变化特征可以由In的扩散和施主缺陷InCd、受主缺陷VCd之间的补偿作用来很好地解释.利用扩散理论建立了CdZnTe:In的电阻率物理模型.利用热处理后样品的电阻率数据,计算了在873,973和1073 K时In原子在CZT晶体中的有效扩散系数DIn,分别为3.455×10-11,2.625×10-10和5.17×10-9cm2/s.将扩散数据经过拟合后得到了DIn的表达式:1.35exp(-1.85 eV/kT)cm2/s(873～1073 K).
关键词:
CdZnTe
,
热处理
,
电阻率
,
扩散系数
常敬先
,
李海蓉
,
马国富
,
王鹏
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.增刊(Ⅰ).037
在SOI基上制备光电纳米器件具有良好的光电集成应用前景,通过铜膜生长法在 SOI 基上制备了形貌为类针状的 Cu(OH)2前驱体纳米线,并采用热处理法600℃条件下成功制备了 CuO 纳米线。通过扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、X 射线衍射测试(XRD)对样品结构、形貌进行了表征。 SEM、TEM测试结果表明,Cu(OH)2前驱体纳米线结构一致,尺寸均匀,表面光滑。在 Cu(OH)2前驱体纳米线上二次生长的CuO 纳米线具有类蒲草状细长光滑的结构, CuO纳米线直径约为80~100 nm,长度约为10μm, CuO 纳米线结晶性良好。
关键词:
SOI
,
铜膜生长法
,
前驱体
,
热处理
,
CuO 纳米线
周小东
,
周思华
,
孙现科
材料热处理学报
利用金属蒸发真空多弧离子源(MEVVA源)注入机,将Au离子注入到高纯石英玻璃衬底中来制备Au纳米颗粒,Au离子注入的加速电压分别为20、40和60 kV,注入剂量为1×1017 ions/cm2,随后将注入样品在普通管式退火炉中700 ～ 1000℃退火处理.研究了注入条件和热退火参数对Au纳米颗粒的形成、生长、分布以及光学性能的影响.采用光学吸收谱、扫描电子显微镜和透射电子显微镜对注人样品的光学性能、表面形貌和微观结构进行了测试和表征.实验结果表明,采用该低压离子注入结合热退火工艺的方法,所制备的Au纳米颗粒具有很强的局域表面等离子体共振特性,同时该方法也为制备尺寸和分布可控的Au纳米颗粒提供了一些新的参考途径.
关键词:
热退火
,
离子注入
,
Au纳米颗粒
,
生长
,
光学性能
周小东
原子核物理评论
doi:10.11804/NuclPhysRev.32.02.242
利用金属蒸发真空多弧离子源(MEVVA源)注入机将Ti+离子注入到高纯石英玻璃衬底中，离子注入的加速电压为20 kV，注入剂量为1.5×1017和3×1017 ions/cm2，将注入样品在氧气气氛下进行热退火处理，制备了TiO2纳米薄膜。采用光吸收谱、拉曼光谱、X射线光电子能谱、扫描电子显微镜和透射电子显微镜对注入样品进行了测试和表征，分析了TiO2薄膜的形成机理。在热退火过程中衬底中离子注入的Ti原子向外扩散到衬底表面被氧化形成了TiO2。TiO2的形成、晶粒尺寸和晶体结构依赖于热退火温度，而形成TiO2薄膜的厚度主要受离子注入剂量和热退火时间的影响。实验结果表明，该方法制备的TiO2纳米薄膜将有望应用于制备具有光催化、自清洁等特殊性能的自清洁玻璃。
关键词:
离子注入
,
热退火
,
TiO2
