王辉
,
欧阳柳章
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曾美琴
,
朱敏
金属学报
采用热蒸发法制备了纯Mg膜及Mg78Ni22合金膜, 研究了薄膜的结构及其氢化性能. Mg膜具有典型的柱状晶结构, 择优取向生长趋势明显; Mg78Ni22薄膜由纳米晶Mg2Ni, Mg及少量非晶组成, Mg2Ni相沿着平行于薄膜表面的(001)方向择优生长. 纯Mg膜的吸放氢温度分别为593和653 K, 其吸氢过程遵循形核长大机制. Mg78Ni22薄膜的压力-组成等温曲线存在低压和高压两个平台区, 分别对应Mg和Mg2Ni的氢化反应, 薄膜内Mg的吸放氢温度可分别降至473和503 K, 薄膜的最大吸氢量(质量分数)达到5.7%. Mg的氢化性能改善与薄膜中纳米晶Mg2Ni和非晶相起到的催化作用有关.
关键词:
储氢合金
,
thermal evaporation
,
Mg film
张明
,
潘永强
,
陈佳
,
栗旭阳
,
杨飞
表面技术
doi:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2015.04.014
目的：研制具备高紫外光阻隔率、高红外光阻隔率、高可见光透射率的太阳隔热膜。方法依据标准大气光谱和隔热膜的基本原理给出理想隔热膜的透射率光谱曲线，在防止室内眩光的基础上给出太阳隔热膜的实用透射率曲线。通过对金属Ag薄膜光学常数的研究，提出基于介质ZnS和金属Ag的多层结构的选择反射型太阳隔热膜结构，利用TFC膜系软件设计三层结构的选择反射型太阳隔热膜并进行允差分析。采用热蒸发技术制备该选择反射型膜太阳隔热膜。结果隔热膜在0.3~0.38μm紫外波段的阻隔率达到99.2%，在0.38~0.78μm可见光波段的平均透射率为75.2%，在0.78~2.5μm 红外波段的阻隔率达到91 .2%，太阳能总隔热率为62.1%。结论研制的太阳隔热膜能在保证隔离紫外线辐射和红外热辐射的同时满足对可见光具有较高的透射率。
关键词:
太阳隔热膜
,
透射率
,
反射率
,
光学常数
,
热蒸发
,
隔热率
张旺玺
,
梁宝岩
,
王艳芝
,
张艳丽
,
孙玉周
,
穆云超
人工晶体学报
利用高温反应烧结在不同结构碳材料表面热蒸发进行二氧化硅(SiO2)晶体的外延生长.采用X-射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)和电子能谱仪(EDS)分析和研究了碳材料表面生成物的物相组成与显微形貌,探讨了SiO2晶体的外延生长机理.研究结果表明,不同结构碳材料表面能外延生长SiO2晶体,但形态不同.在碳纤维表面形成颗粒和短晶须状SiO2晶体,在石墨片上形成凸起团聚状SiO2晶体,而在金刚石表面首先形成了Si-O涂层,然后在Si-O涂层上生长棒状SiO2体.碳材料外延生长SiO2晶体是首先通过热蒸发法使Si沉积到碳材料表面,然后Si与体系中的O反应形成SiO2晶核,在不同结构碳材料表面生长SiO2晶体.
关键词:
热蒸发法
,
碳材料
,
二氧化硅
,
异质外延生长
张凤
,
方新心
,
成霁
,
唐逢杰
,
金庆辉
,
赵建龙
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.增刊(Ⅱ).037
石墨烯由于其独特的电学特性受到关注,工艺的研究促使石墨烯材料的实际应用。着重于石墨烯场效应管关键工艺(目标衬底的预处理、石墨烯的转移、金属沉积、石墨烯刻蚀与退火)的优化。通过实验发现,衬底上硅醇基的密度以及碳氢化合物分子的大小对器件的性能有很大的影响；与热蒸发方式相比,溅射会对石墨烯引入更多的缺陷,降低器件性能；金属上石墨烯的接触电阻率为1.1×104Ω·μm,而金属下石墨烯的电阻率为2.4×105Ω·μm；应用射频和微波等离子体系统对石墨烯进行刻蚀,微波等离子体会造成石墨烯上的光刻胶碳化,使得光刻胶很难用丙酮去除；器件制备完成后,样品需要在(H2/Ar)还原性气氛中退火,以除去吸附在石墨烯表面的杂质,提高器件的性能。
关键词:
石墨烯
,
溅射
,
热蒸发
,
石墨烯转移
,
等离子体刻蚀
康海涛
,
李健
,
柴燕华
材料科学与工程学报
热蒸发制备Zn掺杂SnS2薄膜,研究不同Zn含量及热处理条件对薄膜的物相结构、表面形貌和光电性能的影响.实验给出用Sn:S=1∶1.08(wt)混合粉末沉积的薄膜,经380℃、15min热处理后得到简单正交晶系的SnS2薄膜;9(wt％)掺Zn后的薄膜热处理条件为370℃、20min.Sn、S和Zn分别以正4价、负2价和正2价存在于薄膜中.SnS2薄膜的直接光学带隙为2.12eV,掺Zn后为2.07eV;薄膜的电阻率从未掺Zn时的4.97×102Ω·cm降低到2.0Ω· cm,下降了两个数量级,所有SnS2薄膜导电类型均为N型.
关键词:
热蒸发
,
SnS2薄膜
,
Zn掺杂
,
热处理
,
特性
钟明龙
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.03.030
采用简单热氧化蒸发沉积法在 ITO 玻璃基片上制备了大面积Mo O 3微纳米片。制备出的微纳米片具有良好晶体结构,其长度、宽度和片层厚度分别可达100,1~5μm 和约100 nm；微纳米片沿[001]方向生长,这是因为晶体各方向键合能的不同而具有不同的生长速度,其形成过程遵循气-固生长机制。光致发光谱显示室温下 Mo O 3微纳米片同时具有紫光发射峰、蓝光发射峰和绿光发光带,发射光强度随氧化沉积温度升高而增大,这是由于温度升高,微纳米片缺陷增加导致的。
关键词:
Mo O 3
,
纳米结构
,
热蒸发
,
生长机制
,
光致发光
范东华
,
申冬玲
,
张榕
材料导报
通过简单的两步热蒸发方法成功地实现了ZnO纳米管和纳米棒的集成.SEM结果表明,大量的纳米线以层层生长的机理从约200℃低温Si基片表面生长出来.EDS和XRD结果进一步表明第一步所制备的样品主要是由大量Zn和少量Zn的氧化物组成.第二步所制备样品的SEM和TME图像证实了在高温下以第一步所制备的样品作为第二步的基片,可实现纳米管和纳米棒的集成.TEM图像表明,纳米管的表面所生长的纳米棒是单晶的.通过改变工作气压,可调控纳米管表面纳米棒的尺寸和形貌,实现ZnO纳米结构可控生长.室温光致发光谱表明,样品的光学性质可通过可控的形貌来调制.
关键词:
热蒸发
,
ZnO纳米管
,
ZnO纳米棒
,
光致发光
曾体贤
,
刘其娅
,
陈太红
,
谌家军
人工晶体学报
采用真空热蒸发技术,在光学玻璃基片上生长出排列整齐、高质量的CdSe纳米晶薄膜.通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱分析(XPS)、扫描电镜(SEM)、傅里叶红外光谱(IR)等进行表征.结果表明,薄膜结晶性能较好,纳米晶颗粒约为40 ～70 nm,呈半月状,排列整齐；化学元素配比为49.4∶50.6,稍微富Se;红外透过率高,禁带宽度为1.89 eV,高于块状的CdSe晶体(1.70 eV).
关键词:
CdSe薄膜
,
热蒸发
,
透过率
,
禁带宽度
杨燕
,
余涛
,
金成刚
,
韩琴
,
吴兆丰
,
诸葛兰剑
,
吴雪梅
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.21.028
采用无金属催化剂的简单热蒸发法,在 Si (100)衬底上不同生长温度下成功地制备了高密度和大长径比的单晶 ZnO 纳米线。分别利用 X 射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM-EDS)、透射电子显微镜(TEM)及荧光光谱仪表征样品的结构和发光性质。XRD和 TEM研究表明,所制备的样品为沿c 轴择优取向生长的单晶ZnO 纳米线,具有六方纤锌矿结构。SEM和TEM研究表明,生长温度对ZnO 纳米线的形貌及长径比的影响较大。当生长温度为700℃时,制备得到长径比为300(长度约为15μm,直径约为50nm)的 ZnO 纳米线；低于600℃时,形成花状 ZnO纳米锥或纳米棒；高于700℃时,形成小长径比的 ZnO纳米棒。此外,室温光致发光(PL)谱上出现一个强而尖锐的紫外发射峰以及一个弱而宽泛的蓝光发射峰。采用的热蒸发法制备ZnO 纳米线基于气-固(VS)生长机理且该生长方法可用于大规模、低成本制备高纯度的单晶ZnO 纳米材料。
关键词:
ZnO 纳米线
,
热蒸发
,
光致发光
,
气-固(VS)机理
李介胜
,
朱丽萍
,
唐海平
,
何海平
,
叶志镇
,
赵炳辉
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2007.00613
采用热蒸发法以锌粉和二水醋酸锌作为源材料在Si(111)衬底上制备了高密度的ZnO微纳米棒, 制得的每根ZnO棒明显分为直径不同的四段. 利用X射线衍射、扫描电镜、透射电镜、拉曼光谱和光致发光谱等测试手段对制备的样品进行了形貌、结构和光学性能的分析, 结果表明制备的ZnO棒晶体质量良好, 仅存在很少量的缺陷. 通过讨论该结构的生长机理, 发现O2分压对制备的ZnO微纳米棒的形貌有显著的影响, 调节O2流量可控制ZnO纳米结构的形貌.
关键词:
热蒸发
,
oxygen partial pressure
,
knot
,
micro- and nanorods
