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SiGe:GaP合金的微观结构和温差电特性

高敏 , D.M.ROWE

材料研究学报

经高温热处理后的SiGe∶GaP 半导体温差电材料,其微观结构由具有富Si 相特征变化成为具有富Ge 相特征,温差电优值也得到了提高。实验还表明,材料晶格热导率的降低与富Si 相的消失和富Ge相的出现有关。然而,塞贝克系数和电导率的显著变化却与微观结构中富Si 相和富Ge 相的变化基本无关。通过对材料微观结构和温差电特性比较发现,具有富Ge 相特征的微观结构对应于较大的温差电优值。

关键词: SiGe:GaP 合金 , thermoelectricity , microstructure , heat treatment

Bi_2Te_3/碳纳米管复合材料的制备方法

孙晨曦 , 周丽娜 , 张孝彬 , 赵新兵 , 沈美

材料科学与工程学报

本文采用两步法制备Bi_2Te_3/碳纳米管复合材料.用硝酸溶液对碳纳米管进行超声纯化处理并使其表面活化;采用乙二醇作为溶剂与还原剂、Bi(NO_3)_3和Na_2TeO_3作为前驱体、乙二胺四乙酸(EDTA)作为表面活性剂,以NaOH调节溶液pH值,在200W功率下超声处理90min,得到均匀包覆于碳纳米管表面的中间产物为Bi_xTe_yO_x.用NaBH_4还原以上中间产物得到最终产物.用XRD、TEM、SEM等手段对反应中间及最终产物的形貌与微结构进行了表征.结果表明,Bi_2Te_3纳米颗粒分散连接于碳纳米管表面,所得Bi_2Te_3产物晶粒尺寸为12nm左右.使用表面活性剂和控制反应速率,使Bi_2Te_3非均匀形核被认为是将Bi_2Te_3包覆在碳纳米管表面的关键因素.

关键词: 碳纳米管 , Bi_2Te_3 , 包覆 , 热电 , 超声

半导体陶瓷致冷材料的性能与结构

崔万秋 , 程皓 , 龚定农 , 张斗

材料研究学报

采用新的陶瓷工艺技术,在气氛保护条件下,通过固相烧结反应法制备出温差电多晶材料。对膺三元固溶体化合物P 型(72%Sb_2Te_3+25%Bi_2Te_3+3%Sb_2Se_3)和N 型(90%Bi_2Te_3+5%Sb_2Te_3+5%Sb_2Se_3)的掺杂陶瓷样品进行了性能与结构研究。找到了最佳工艺制度。样品性能参数为:N 型:α=186μV/K σ=1250Ω~(-1)·cm~(-1) λ=14.7mW/(cm.K) Z=2.9×10~(-3)/KP 型:α=220μV/K σ=900 Ω~(-1)·cm~(-1) λ=14.0mW/(cm.K) Z=3.1×10~(-3)/K

关键词: 温差电 , semiconductor refrigeration , ceramic

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