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  • 论文(9)

半导体纳米晶体在薄膜晶体管中的应用

栾庆彬 , 皮孝东

材料导报 doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2014.21.001

以非晶硅薄膜为核心的薄膜晶体管技术目前已经相当成熟,在该技术投入使用并且得以很好地优化之后,要想进一步提高薄膜晶体管的性能,就有必要开发新型的薄膜材料.近年来,由半导体纳米晶体构成的新型薄膜材料在晶体管中的应用越来越受到人们关注.利用半导体纳米晶体制备的薄膜晶体管有着较高的载流子迁移率和开关电流比,...

关键词: 薄膜晶体管 , 有源层 , 半导体 , 纳米晶体 , 硒化镉 , 碲化汞 , 硒化铅 , ,

印刷半导体碳纳米管薄膜晶体管光电性能研究

刘振 , 徐文亚 , 钱龙 , 赵建文 , 崔铮

影像科学与光化学 doi:10.7517/j.issn.1674-0475.2014.03.260

本文研究了聚[(2,7-9,9-二辛基芴基)-4,7-双(噻吩-2-基)苯并-2,1,3-噻二唑](PFO-DBT)分离的半导体碳纳米管薄膜晶体管的光电性能.在超声和高速离心辅助下,PFO-DBT能够从商业化单壁碳纳米管中选择性分离出高纯的半导体碳纳米管.用得到的半导体碳纳米管溶液通过气溶胶喷墨印刷...

关键词: 半导体性碳纳米管 , 聚合物 , 印刷电子 , 薄膜晶体管 , 光响应特性

基于溶液法的规则排列连续晶畴的金属诱导多晶硅薄膜及薄膜晶体管

赵淑云 , 孟志国 , 王文 , 郭海成

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2010.03.007

介绍了一种新的金属诱导多晶硅技术.该技术的核心是预设规则化晶核定位孔和镍源补充孔与溶液浸蘸技术的结合.以定位孔为晶化的起始点,晶化过程中消耗的镍可通过分布在周边的镍源补充孔中的镍给予补充.这样可以大大降低晶核定位孔中的初始镍量,使整个多晶硅薄膜中不存在明显的高镍含量区.即包括晶核定位孔、镍源补充孔在...

关键词: 金属诱导晶化 , 规则排列连续晶畴 , 薄膜晶体管 , 低温多晶硅

ZnO基薄膜晶体管有源层制备技术的研究进展

苏晶 , 刘玉荣 , 莫昌文 , 简平 , 李晓明

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20132803.0315

氧化锌基薄膜晶体管(ZnO-TFT)器件的性能受到多种因素的影响,如半导体有源层、栅介质层的质量、栅介质与有源层的界面质量,其中有源层的质量起到至关重要的作用,而在影响器件有源层方面,制备方法是其中一个重要的因素.目前,已有多种ZnO半导体有源层制备技术应用于ZnO-TFT的制备(如原子层沉积、脉冲...

关键词: 氧化锌 , 薄膜晶体管 , 有源层 , 制备方法

TFT-LCD网点Mura的研究和改善

张定涛 , 李文彬 , 姚立红 , 郑云友 , 李伟 , 宋泳珍 , 袁明 , 张光明

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20132806.0860

为解决116.8 cm(46 in)广视角边缘场切换技术4mask面板生产中的阵列工艺中,发生的一种网点色斑缺陷,应用扫描电子显微镜、聚焦离子束、能谱仪、宏观微观观测仪和线宽测量仪等检测设备进行Mura及其结晶物成份分析,比较了TFT膜厚;进行了GI和PVX膜玻璃正反面1%HF酸腐蚀试验、下部电极温...

关键词: 色斑 , 薄膜晶体管 , 非晶硅 , 缺陷分析

未退火InGaZnO作为缓冲层的InGaZnO薄膜晶体管性能研究

苟昌华 , 武明珠 , 郭永林 , 杨永强 , 关晓亮 , 段羽 , 王红波

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20153004.0602

铟镓锌氧化物薄膜晶体管(IGZO TFT)因具有场效应迁移率高,大面积均匀性好,无定型态等特点,被认为是显示器朝着大尺寸、柔性化方向发展的新型背板技术.源漏电极与有源层之间的接触氧化会增大器件的接触电阻,从而导致器件的性能降低.利用未退火IGZO具有氧含量低、氧空位多、电导率高的特点,提出采用未退火...

关键词: 薄膜晶体管 , InGaZnO , 接触电阻 , 缓冲层

薄膜晶体管中绝缘层的研究现状与趋势

王东平 , 谢应涛 , 欧阳世宏 , 朱大龙 , 许鑫 , 谭特 , 方汉铿

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20163104.0380

本文主要介绍了绝缘层在薄膜晶体管中的重要作用,总结了在薄膜晶体管中应用的绝缘层材料种类及其特点,介绍了不同绝缘层的制备工艺,以及各种制备工艺的原理与特点.最后,通过分析近几年有关薄膜晶体管绝缘层的文献,介绍了薄膜晶体管在制备过程中遇到的主要问题及当前的研究热点,并对未来薄膜晶体管中绝缘层的制备工艺和...

关键词: 薄膜晶体管 , 溶胶凝胶法 , 紫外光退火 , 低温工艺

绝缘层材料及结构对薄膜晶体管性能的影响

李欣予 , 王若铮 , 吴胜利 , 李尊朝

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20173205.0344

基于半导体仿真软件Silvaco TCAD对薄膜晶体管(TFT)进行器件仿真,并结合实验验证,重点分析不同绝缘层材料及结构对TFT器件性能的影响.仿真及实验所用薄膜晶体管为底栅电极结构,沟道层采用非晶IGZO材料,绝缘层采用SiNx和HfO2多种不同组合的叠层结构.仿真及实验结果表明:含有高k材料的...

关键词: 半导体器件仿真 , 薄膜晶体管 , 绝缘层 , 氮化硅 , 二氧化铪 , 叠层结构

全印刷碳纳米管薄膜晶体管构建及电性能研究

张祥 , 费斐 , 郭文瑞 , 聂书红 , 吴良专 , 谢建军 , 赵建文 , 崔铮

影像科学与光化学 doi:10.7517/j.issn.1674-0475.2016.02.136

利用纳米压印和电刷镀技术在PET基体上制作出大面积金源、漏电极阵列.分别采用钛酸钡复合材料为介电层,印刷银电极为顶电极,聚芴-二噻吩基吡咯并吡咯二酮(PF8DPP)分离的半导体碳纳米管为有源层,在柔性基体上构建出全印刷碳纳米管薄膜晶体管器件和反相器.全印刷碳纳米管薄膜晶体管的开关比和迁移率分别达到4...

关键词: 纳米压印 , 电刷镀 , 半导体碳纳米管 , 聚合物 , 印刷电子 , 薄膜晶体管

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