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半导体学报（英文版） doi:10.1088/1674-4926/35/1/014003

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半导体学报（英文版） doi:10.1088/1674-4926/35/10/104004

关键词:

双沟道层对氮掺杂非晶氧化铟锌薄膜晶体管的影响

王乃倩 , 张群 , 谢汉萍

无机材料学报 doi:10.15541/jim20150613

采用射频磁控溅射法，在热氧化 p 型硅基片上制备了双沟道层非晶氧化铟锌(a-IZO)和氮掺杂氧化铟锌(a-IZON)薄膜晶体管(TFTs)，并研究了双沟道层对器件电学性能和温度稳定性的影响。研究发现， a-IZO/IZON双沟道层TFTs具有较高的场效应迁移率，为23.26 cm2/(V×s)，并且...

关键词: 双沟道层 , 氮气掺杂 , 温度稳定性 , 薄膜晶体管

搭桥晶粒多晶硅薄膜晶体管直流电应力下的退化行为与退化机制研究

张猛 , 夏之荷 , 周玮 , 陈荣盛 , 王文 , 郭海成

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20153002.0187

研究了搭桥晶粒(BG)多晶硅薄膜晶体管(TFT)在直流电应力下的退化行为和退化机制。与普通多晶硅 TFT 相比,BG 多晶硅 TFT 展现出更好的直流应力可靠性。主要体现在 BG 多晶硅 TFT 拥有更好的直流负偏压温度不稳定性(NBTI)可靠性,更好的直流自加热(SH)可靠性,更好的直流热载流子(...

关键词: 搭桥晶粒 , 多晶硅 , 薄膜晶体管 , 负偏压温度不稳定性 , 自加热 , 热载流子

搭桥晶粒多晶硅薄膜晶体管栅交流电应力下的退化行为与退化机制研究

张猛 , 夏之荷 , 周玮 , 陈荣盛 , 王文 , 郭海成

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20173202.0091

本文主要研究了搭桥晶粒(BG)多晶硅薄膜晶体管(TFT)在栅交流电应力下的退化行为和退化机制.在栅交流应力下,动态热载流子效应主导了器件的退化.器件退化只与栅脉冲下降沿有关.越快的下降沿带来越大的动态热载流子退化.比起普通多晶硅TFT,BG多晶硅TFT的热载流子退化大幅度减弱.通过选择性的掺杂注入B...

关键词: 搭桥晶粒 , 多晶硅 , 薄膜晶体管 , 栅交流应力 , 动态热载流子