王乃倩
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张群
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谢汉萍
无机材料学报
doi:10.15541/jim20150613
采用射频磁控溅射法，在热氧化 p 型硅基片上制备了双沟道层非晶氧化铟锌(a-IZO)和氮掺杂氧化铟锌(a-IZON)薄膜晶体管(TFTs)，并研究了双沟道层对器件电学性能和温度稳定性的影响。研究发现， a-IZO/IZON双沟道层TFTs具有较高的场效应迁移率，为23.26 cm2/(V×s)，并且其阈值电压相较于单层a-IZO-TFTs正向偏移。这是由于氮掺杂可以减少沟道层中的氧空位，抑制载流子浓度，使器件具有更好的阈值电压。而a-IZO层避免了由于氮掺杂导致的场效应迁移率和开态电流的下降，提升了器件的电流开关比。从298 K至423 K的器件转移特性曲线中发现，双沟道层器件相较于单沟道层器件的温度稳定性更佳，这可归因于a-IZON层的保护作用。氮掺杂可以减少氧在背沟道层表面的吸收/解吸反应，改善器件的稳定性。
关键词:
双沟道层
,
氮气掺杂
,
温度稳定性
,
薄膜晶体管
张猛
,
夏之荷
,
周玮
,
陈荣盛
,
王文
,
郭海成
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20153002.0187
研究了搭桥晶粒(BG)多晶硅薄膜晶体管(TFT)在直流电应力下的退化行为和退化机制。与普通多晶硅 TFT 相比,BG 多晶硅 TFT 展现出更好的直流应力可靠性。主要体现在 BG 多晶硅 TFT 拥有更好的直流负偏压温度不稳定性(NBTI)可靠性,更好的直流自加热(SH)可靠性,更好的直流热载流子(HC)可靠性。有源沟道区的 BG 结构是上述直流应力可靠性提高的主要原因。更好的 NBTI 的可靠性主要源于沟道内的硼氢键的形成；更好的 SH 可靠性主要源于在沟道长度方向上更快的焦耳热扩散率；更好的 HC 可靠性主要源于漏端横向电场(E x )的减弱。所有的测试结果都表明,这种高性能高可靠性的 BG 多晶硅 TFT 在片上系统中具有很大的应用前景。
关键词:
搭桥晶粒
,
多晶硅
,
薄膜晶体管
,
负偏压温度不稳定性
,
自加热
,
热载流子
张猛
,
夏之荷
,
周玮
,
陈荣盛
,
王文
,
郭海成
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20173202.0091
本文主要研究了搭桥晶粒(BG)多晶硅薄膜晶体管(TFT)在栅交流电应力下的退化行为和退化机制.在栅交流应力下,动态热载流子效应主导了器件的退化.器件退化只与栅脉冲下降沿有关.越快的下降沿带来越大的动态热载流子退化.比起普通多晶硅TFT,BG多晶硅TFT的热载流子退化大幅度减弱.通过选择性的掺杂注入BG线,沟道中形成的PN结在反向偏置时可以有效分担栅交流电应力带来的电压差,从而减弱动态热载子退化.辅以瞬态模拟结果,栅交流电应力下的退化机制被阐明.所有的测试结果都表明这种高性能高可靠性的BG多晶硅TFT在片上系统应用中具有很大的应用前景.
关键词:
搭桥晶粒
,
多晶硅
,
薄膜晶体管
,
栅交流应力
,
动态热载流子
