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铝膜电导率尺寸效应对其微波性能的影响

刘志敏 , 杜昊 , 石南林 , 闻立时

金属学报

采用中频磁控溅射法制备不同厚度的Al膜。利用直线型四探针法测量不同厚度Al膜的电导率,研究薄膜直流电导率随厚度的变化关系(尺寸效应);并利用网络矢量分析仪测量Al膜与FR4-epoxy环氧树脂玻璃板复合结构微波吸收率,研究电导率尺寸效应对Al膜微波吸收性能的影响。实验结果表明:薄膜厚度对金属Al膜的电导率产生主要影响;在Al膜和FR4-epoxy环氧树脂玻璃板复合结构中,Al膜电导率变化对复合结构的最大吸收峰值以及吸收峰值对应的Al膜厚度会产生显著影响。实验结果利用传输矩阵方法计算得到了验证。

关键词: 铝膜 , size effect , microwave absorption , transfer matrix method

布拉格型声子晶体弦的横向振动带隙研究

舒海生 , 董立强 , 李世丹 , 刘伟 , 林航

人工晶体学报

从弦的波动方程出发,采用传递矩阵法,分析了无限周期的布拉格型声子晶体弦的横向振动能带结构.研究表明布拉格型声子晶体弦具有横向振动带隙,弦内拉力对带隙特性有显著影响,可以方便地用于带隙调节.利用有限元软件和Matlab软件对有限周期的布拉格型声子晶体弦的横向振动传输特性分别进行了仿真和数值计算,结果表明带隙范围内表现出明显的振动衰减,不同拉力条件下的带隙变化也很好地验证了理论分析结果.

关键词: 声子晶体 , , 传递矩阵法 , 能带结构 , 带隙

三维光子晶体光学性能分析及结构色模拟

张洪波 , 刘晓艳

材料导报

以面心立方密堆积结构的三维光子晶体为研究对象,利用等体积原则将其等效为一维光子晶体结构,采用传输矩阵法计算晶体微球粒径、晶体堆积厚度对光子晶体反射率、带隙位置及宽度的影响,并通过CIE标准色度系统得到色品坐标,在CIE色度图直观地反映光子晶体结构色变化.控制微球粒径尺度可以调节光子禁带,进而调控光子晶体结构色.微球粒径增大,光子带隙中心波长增大,对应的结构色波长也增大,对于粒径分别为200 nm、250 nm、300 nm、350 nm的二氧化硅胶体光子晶体,其对应结构色分别为蓝色、绿色、黄色、红色.晶体堆积厚度在一定范围内增大有利于反射率增大、带隙宽度变窄,从而影响颜色但不引起色相发生变化.

关键词: 结构色 , 光子晶体 , 带隙 , 传输矩阵 , 反射率 , CIE色度图

多层耦合约化维度量子体系中的界面光学声子模及其与电子的相互作用

张立

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2005.02.023

采用传递矩阵方法,在介电连续近似下,推导并给出了n层耦合约化维度量子体系(包括耦合量子阱CQW,耦合量子阱线CQWW和耦合量子点CQD)中的界面光学声子模与相应的电子-声子相互作用哈密顿的统一表达式.对由三层AlGaAs/GaAs构成的CQW,CQWW与CQD进行了数值计算,并对界面光学声子频率对体系的波矢与量子数的信赖关系进行了分析,特别是对波矢与量子数趋于0与无穷大两个极端情况从数学与物理上进行了合理的解释与说明.

关键词: 光电子学 , 耦合约化维度量子系统 , 传递矩阵方法 , 电子-声子相互作用 , 凝聚态

含一缺陷层的一维液晶填充光子晶体缺陷模电场和温度调控特性

殷新星 , 谢应茂

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2013.03.012

基于液晶折射率对温度和电场的特性,采用传输矩阵法,研究了含一缺陷层一维液晶填充光子晶体缺陷模电场和温度调控特性.研究结果表明:当温度T在273~330 K内一定时,随着垂直入射光与电场方向间夹角θ在(0,π/2)内增大,缺陷模波长向短波方向漂移,最大调控波长为37.3 nm.当夹角θ在(0,π/2)内一定时,随着外界温度T在273~330 K内升高,缺陷模波长发生改变,变化量先负后正,最大调控波长为21.9 nm.当θ=0.7505时,不管外界温度T在273~330 K内如何变化,缺陷模波长保持不变.温度对缺陷模波长的影响比垂直入射光与电场方向间夹角θ对缺陷模波长的影响更弱.

关键词: 光电子学 , 缺陷模 , 传输矩阵法 , 可调光子晶体 , 液晶

一维磁流体掺杂光子晶体缺陷模的磁控可调特性

郝丽丽 , 谢应茂

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2015.03.014

磁流体的有效介电常数εliq与磁性粒子体积分数P和外加磁场因子αⅡ有关.计算了水基MnFe2O4磁流体的有效折射率随纳米磁性粒子体积分数P和外加磁场强度因子αⅡ的变化关系,发现通过调节αⅡ的大小可实现不同纳米磁性粒子体积分数的磁流体具有相同的有效折射率.应用传输矩阵法,数值模拟了水基MnFe2O4磁流体中P为0.745时结构为(AB)8C(BA)8的一维磁流体掺杂光子晶体的透射谱.结果表明:缺陷模磁流体nc的增大出现红移现象,即缺陷模中心波长随nc的增大而变长,最大改变量为36.6 nm.讨论了缺陷模品质因子Q,发现缺陷模半峰值带宽不变, Q与缺陷模波长随nc的变化具有相同的线性变化特性,即Q随有效折射率的增大而增大.

关键词: 光电子学 , 磁流体光子晶体 , 传输矩阵法 , 缺陷模 , 品质因子

基于转移矩阵法的n-Si/n-Fe2O3光催化性能研究

陈磊 , 冯德强 , 刘孟寅 , 王卫超

人工晶体学报

对平衡态及光照下非平衡态的n-Si/n-Fe2O3/electrolyte的能带结构进行了分析,同时结合转移矩阵法定量地计算Si中不同能量的电子/空穴穿过n-Si/n-Fe2O3势垒并满足水氧化还原电势要求的透射系数,从而得出光照与Fe2O3厚度对Si中电子/空穴透射能量的影响.结果表明:Fe2O3层厚度(1~10 nm)与光电压的增大,均可以使Si中电子满足水还原反应电势要求所需的最小能量减小,同时使Si中空穴满足水氧化反应电势要求所需的最小能量增大.通过选择合适的Fe2O3厚度(~7 nm),可以使Si中的光生电子和光生空穴同时以较小的能量传输到电解液中并满足水氧化和水还原反应的电势要求.

关键词: 光催化 , 转移矩阵法 , 透射系数 , n-Si/n-Fe2O3异质结 , 水氧化还原反应

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