李爱丽
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闫金良
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石亮
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刘建军
人工晶体学报
采用射频磁控溅射ZnO陶瓷靶、直流磁控溅射Cu靶的方法在不同基底温度下制备了ZnO/Cu/ZnO多层膜.用X射线衍射仪、原子力显微镜、紫外可见分光光度计和四探针测试仪对样品的性能进行了表征.结果表明,随着基底温度的升高,ZnO层c轴择优取向明显,结晶程度变好,Cu层的结晶性先变好后逐渐变差;多层膜表面均方根粗糙度随基底温度的升高而增加;光学透过率随基底温度的升高逐渐增大,基底温度为300 ℃时最大透过率接近90%;面电阻随基底温度的升高逐渐增加,最小面电阻为12.4 Ω/□.
关键词:
透明导电膜
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多层膜
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光学性质
,
电学性质
赵银女
材料科学与工程学报
doi:10.14136/j.cnki.issn.1673-2812.2015.04.018
用射频磁控溅射Ga2O3陶瓷靶材和直流磁控溅射ITO靶材在石英玻璃衬底制备Ga2 O3 /ITO周期多层膜.样品在300～800℃真空退火1小时,研究退火温度对薄膜光学和电学性能的影响.400℃退火的Ga2O3/ITO周期多层膜面电阻和电阻率低至68.76Ω/□和3.47×10-3Ω·cm,载流子浓度和霍尔迁移率高达1.30×1020 cm-3和14.02cm2 V-1 s-1.退火温度超过500℃后,Ga2O3膜层和ITO膜层之间开始相互扩散,薄膜结晶质量和导电性变差.所有退火薄膜在紫外-可见光范围的平均光学透过率高于83％,光学带边吸收随退火温度增加发生蓝移,光学带隙从4.59eV增加到4.78eV.
关键词:
磁控溅射
,
多层膜
,
透明导电膜
,
退火
,
光学性质
,
电学性质
钟志有
,
龙路
,
陆轴
,
龙浩
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2015.16.002
采用磁控溅射方法在玻璃基片上制备了 Ga-Ti 共掺杂 ZnO(GTZO)透明导电薄膜,通过 XRD、四探针仪和分光光度计测试,研究了氩气压强对 GTZO 薄膜光电性能和晶体结构的影响。结果表明：所有 GTZO 薄膜均为(002)择优取向的六角纤锌矿结构,其光电性能和晶体结构与氩气压强密切相关。当氩气压强为0.4 Pa 时,GTZO 薄膜具有最大的晶粒尺寸(85.7 nm)、最小的压应力(-0.231 GPa)、最高的可见光区平均透射率(86.1%)、最低的电阻率(1.56×10-3Ω·cm)和最大的品质因子(4.28×105Ω-1·cm-1),其光电综合性能最佳。另外,采用光学表征方法计算了薄膜的光学能隙和折射率,并利用有效单振子理论对折射率的色散性质进行了分析,获得了 GTZO 薄膜的色散参数。
关键词:
透明导电薄膜
,
掺杂ZnO
,
磁控溅射
,
光电性能
彭寿
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操芳芳
,
金良茂
,
汤永康
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王东
,
王魏巍
,
单传丽
,
倪嘉
材料热处理学报
doi:10.13289/j.issn.1009-6264.2016-X277
采用简单高效的一步多元醇法以FeCl3.6H2O为成核控制剂,在低温、静置的条件下成功合成了产量高、形貌尺寸均匀、银线平均长度80～110 μm、平均直径为40 ～ 80 nm,长径比大于1000的高长径比Ag纳米线.将制得银纳米线通过无水乙醇分散,得到一系列质量体积浓度的银线分散液,利用旋涂装置在PET上制备成膜,得到薄膜方阻仅6Ω/sq、可见光透过率80％左右性能良好的银纳米线透明导电薄膜,并探讨了旋涂层数、旋涂速度对各质量体积浓度薄膜性能的影响.
关键词:
银纳米线
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透明导电膜
,
高长径比
,
方块电阻
,
旋涂
