刘文婷
,
张赟
,
吴漫漫
,
李勇安
材料导报
介绍了Cu基铜铁矿结构透明导电氧化物(TCO)材料的结构特点,综述了几种主要Cu基铜铁矿结构TCO材料如CuAlO2、CuGaO2、CuInO和CuSeO2在理论计算以及实验研究方面的最新进展.其中,CuAlO2的相关研究开始较早,数量较多;由于可能具有较高的p型导电特性,CuScO2的相关研究也较多;而有关CuGaO2和CuInO2的研究则较少.最后介绍了这几种TCO材料在掺杂改性方面的研究进展.
关键词:
透明导电氧化物
,
Cu基
,
铜铁矿
,
掺杂
徐小科
,
赵俊亮
,
李效民
,
吴永庆
,
杨哲
,
何兵
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.07.009
低压化学气相沉积法生长的 B 掺杂 ZnO 薄膜具有良好的光散射特性，可以用作硅基薄膜太阳能电池的前电极.以 Zn (C2 H 5)2和 H 2 O 为前驱体， B2 H 6为掺杂物，通过低压化学气相沉积法在玻璃衬底上生长了 B 掺杂 ZnO 薄膜.通过 XRD、FESEM、四探针测试仪等手段对样品的结构特征、微观形貌及导电性能进行表征，着重研究了(110)取向的 BZO 薄膜的生长机理.结果表明，厚度在500 nm 以下的 BZO 薄膜主要表现为(002)取向，随着厚度的增加，薄膜取向开始向(110)转变.所得 BZO 镀膜玻璃在400~1000 nm范围内总透过率＞80％，雾度最高可达28％(550 nm)，方块电阻最低约7Ω/□，电阻率最低约1．0×10－3Ω?cm.
关键词:
BZO
,
透明导电氧化物
,
生长机理
,
雾度
,
低压化学气相沉积(LPCVD)
黄建华
,
刘怀周
人工晶体学报
采用低压化学气相沉积(LPCVD)技术在大面积的玻璃衬底上制备了B掺杂ZnO(BZO)透明导电薄膜,研究了不同B2H6掺杂量对BZO薄膜微观形貌、导电能力及其均匀性、透光率等性能的影响.结果表明,所制备的BZO薄膜表面具有自生长的绒面结构;B2H6掺杂量由30 sccm增加到60 sccm,BZO薄膜的方阻由28.6Ω/□减小到14.1 Ω/□,导电能力显著增强,同时方阻均匀性也明显提升;BZO薄膜在长波区的透光率随B2H6掺杂量的增加而明显降低,综合透光率结果,最佳B2H6掺杂量控制在60～ 90 sccm之间.
关键词:
低压化学沉积
,
B掺杂ZnO薄膜
,
透明导电氧化物
,
方块电阻
,
均匀性
,
绒面结构
黄建华
,
刘怀周
人工晶体学报
采用低压化学气相沉积(LPCVD)法在沉积ITO薄膜的玻璃衬底上制备了硼掺杂氧化锌(BZO)薄膜,研究了ITO缓冲层对ITO/BZO复合薄膜表观形貌、导电性能和光学性能的影响;并研究了ITO/BZO薄膜在非晶硅薄膜太阳能电池的应用.结果表明,以ITO作为缓冲层来沉积BZO薄膜,有利于BZO晶粒尺寸的长大,并可以显著提高BZO薄膜的导电能力.ITO/BZO复合薄膜具有相对较高的导电能力和光学透光率,应用在非晶硅薄膜太阳能电池时转化效率提高0.20％.
关键词:
透明导电氧化物
,
硼掺杂氧化锌
,
复合薄膜
,
低压化学沉积
,
非晶硅薄膜太阳能电池
