陈建华
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李玉琼
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衷水平
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郭进
中国有色金属学报
采用密度泛函理论方法研究硫空位和铁空位缺陷对氢氧根和羟基钙在黄铁矿表面吸附的影响.计算结果表明,铁空位能减弱氢氧根的吸附,硫空位能促进氢氧根的吸附,而铁空位和硫空位缺陷都能增强羟基钙在黄铁矿表面的吸附.氢氧根在硫空位缺陷形成的活性铁原子上的吸附能力比在铁空位缺陷形成的活性硫原子上的吸附能力强.对于羟基钙分子,在硫空位缺陷存在的情况下氧原子与黄铁矿表面铁原子成键,在铁空位缺陷存在的情况下钙原子与周围的硫原子发生作用,从而促进了钙原子在黄铁矿表面空位缺陷处的吸附.
关键词:
黄铁矿表面
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空位缺陷
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吸附
,
浮选
杨艳妮
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王成
人工晶体学报
基于密度泛函理论,采用广义梯度近似下的第一性原理投影缀加波赝势方法,系统的研究了单空位(双空位)缺陷对锯齿型硅纳米带电子结构和磁性的影响.结果表明:不同位置的单原子空位(双原子空位)锯齿型硅纳米带,结构弛豫后,都能得到一个九边环(八边环),同类缺陷更容易在锯齿型硅纳米带的边缘区域形成;与完整的锯齿型硅纳米带相比,中心位置含空位缺陷(单原子或双原子空位)的锯齿型硅纳米带由原有的反铁磁半导体转变为反铁磁金属;非中心位置含空位缺陷(单原子或双原子空位)的锯齿型硅纳米带则具有铁磁态金属性, 在远离缺陷的纳米带边缘硅原子上局域的分布着差分电荷密度,这使得锯齿型硅纳米带在自旋电子学领域拥有可观的应用前景.
关键词:
硅纳米带
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空位缺陷
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电子结构
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第一性原理
