惠迎雪
,
樊慧庆
,
刘卫国
材料导报
采用真空热蒸发技术在单晶硅基底上沉积PVDF薄膜.通过分析阻蒸温度对薄膜沉积速率和真空室气压变化的影响研究了PVDF镀膜过程.同时利用傅立叶变换衰减全反射红外光谱(ATR-FTIR)、X射线衍射(XRD)和差热分析(DSC)对薄膜的晶型结构进行了表征分析,结果发现,真空热蒸发技术可制备具有高度取向性的α晶相PVDF薄膜,且薄膜中不舍C=C键.相比于PVDF树脂粉末,所得薄膜的结晶度明显增大而分子量显著减小,实现了PVDF薄膜的低维化制备.
关键词:
PVDF薄膜
,
取向生长
,
真空热蒸发
,
α相
,
薄膜结构
刘绰
,
张雷
,
马蕾
,
彭英才
材料热处理学报
采用真空热蒸发方法,以高纯CdTe粉末为蒸发源,在石英和AZO玻璃上沉积了厚度约为485 nm的CdTe薄膜,随后在N2氛围中于250～400℃条件下进行后退火处理.利用X射线衍射仪、拉曼光谱仪、分光光度计和数字源表测量了不同退火温度条件下样品的结构、光学和电学特性.结果表明,所制备的薄膜为立方闪锌矿结构,择优取向为< 111>晶向,提高退火温度可以促进薄膜结晶;光学测量结果证实,随退火温度升高,薄膜样品的光学带隙由1.527 eV减小到1.496 eV;电流-电压测试表明,薄膜电导率随退火温度的增加,由0.97 μS/cm增大至87.3 μS/cm.
关键词:
真空热蒸发
,
CdTe薄膜
,
退火处理
,
结构特性
刘家琴
,
曹玉杰
,
张鹏杰
,
张浩
,
衣晓飞
,
陈静武
,
吴玉程
材料热处理学报
为了提高烧结NdFeB磁体的耐腐蚀性能,采用真空蒸镀的方法在烧结NdFeB磁体表面沉积A1薄膜,并对工艺过程中的工艺参数进行优化.结果表明:真空室温度对Al薄膜的结构及耐腐蚀性能基本没有影响,但温度过高会导致Al薄膜表面岛状结构的增大,造成Al薄膜的厚度一致性难以控制;随着蒸发源温度的增加,Al薄膜的沉积速率逐渐增加,但是随着蒸镀时间的延长,Al薄膜的沉积效率逐渐降低,这是由于Al蒸发原子在基片上冷凝沉积的物理驱动力下降导致的.采用最佳工艺参数制备的厚度为8μm的Al薄膜,耐中性盐雾试验时间可达60 h,且Al镀层的涂覆对NdFeB磁体的磁性能基本没有影响.
关键词:
烧结钕铁硼
,
永磁材料
,
真空蒸镀
,
Al薄膜
,
耐腐蚀性能
