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SiO_2中包埋纳米晶Si光电性质的计算

柴跃生 , 罗春云 , 张敏刚 , 伍静

人工晶体学报

采用第一性原理平面波赝势方法计算了SiO_2基质包埋不同尺寸纳米晶粒Si_3和Si_5的电子结构及光学性质.结果表明,随着包埋纳米晶粒尺寸的减小,包埋Si_3结构的带隙比包埋Si_5结构宽,但包埋Si_5结构对可见光区的吸收优于包埋Si_3结构.Si_3结构的第一个吸收峰在约3.9 eV处,Si_5...

关键词: 第一性原理 , 密度泛函理论 , 价键畸变 , 态密度