吴爽爽
,
莫兴婵
,
韦成峰
,
韦小圆
,
朱文凤
,
覃远东
,
刘来君
材料导报
采用传统的固相反应法制备了Cu欠量的CaCu3 Ti4 O12 (CaCu2.7Ti4 O12)陶瓷,研究了不同烧结时间对CaCu2.7Ti4O12相结构、显微形貌、介电性能和J-E非线性特征的影响.结果表明,延长保温时间降低了CaCu2.7-Ti4 O12陶瓷的中低频介电损耗和击穿场强并且显著提高了其介电常数.采用肖特基热电子发射模型对其非线性特征和电学性能的变化机理进行了分析,认为耗尽层宽度是影响电学性能的主要因素.保温30 h的CaCu2.7Ti4 O12陶瓷有望作为低压压敏电阻应用于半导体电路中.
关键词:
CCTO陶瓷
,
电流-电压非线性
,
压敏电阻器
,
巨介电响应
何恺
,
吴文浩
,
陈步华
,
吴婕婷
,
徐传孟
,
徐东
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.18.014
通过溶胶-凝胶法制备了一种稀土 Ce 掺杂的ZnO-Bi2 O3压敏薄膜,对薄膜进行了XRD、AFM、介电与压敏性能的表征.结果表明,Ce 掺杂不会影响ZnO-Bi2 O3压敏薄膜的晶体结构,但是会减小 ZnO-Bi2 O3压敏薄膜的晶粒尺寸.Ce 掺杂会降低 ZnO-Bi2 O3压敏薄膜的漏电流,减小材料的介电损耗,提升ZnO-Bi2 O3压敏薄膜的非线性性能.当 Ce 掺杂量达到0．3％(摩尔分数)时,ZnO-Bi2 O3压敏薄膜的压敏电压达到了175 V/mm,漏电流降低至502μA.
关键词:
ZnO
,
稀土
,
显微组织
,
压敏电阻
,
电学性能
王秀芳
,
李统业
人工晶体学报
采用传统陶瓷工艺制备了Sb2O3掺杂的Pr6O11压敏电阻,并利用现代分析测试技术对其微结构和电学性能进行了研究.样品的相结构比较简单,除了Pr6O11主相外,未发现明显的第二相.样品的相对密度及晶粒尺寸随着Sb2O3掺杂量的提高而降低.非线性系数、压敏电压和晶界电阻都呈现出先降低后增加的趋势,非线性系数最高可达134.分析表明,Sb掺杂不与Pr6O11发生固相反应,其高温分解所产生的蒸汽压会降低Pr6O11压敏电阻的相对密度、晶粒尺寸及势垒高度,电学性能的变化要归结于相对密度、晶粒尺寸及势垒高度的共同作用.
关键词:
压敏电阻
,
氧吸附
,
Pr6O11
,
Sb2O3
万帅
,
吕文中
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00157
研究了锌硼玻璃掺杂量对低压ZnO压敏电阻微观结构和电性能的影响.结果表明,当掺杂量x=0.1wt%时.可以得到较好综合性能的ZnO压敏电阻:E_(1mA)=36.7V/nun,α=30.4,I_L=0.1μA.并应用晶粒生长动力学唯象理论研究了锌硼玻璃掺杂低压ZnO压敏电阻的晶粒生长规律,探讨了锌硼玻璃掺杂对低压ZnO压敏陶瓷晶粒生长的作用机理.当烧结温度T≤1000℃时,其晶粒生长动力学指数n≈4.54,激活能Q≈316.5kJ/mol,这是由于未熔融的锌硼玻璃通过颗粒阻滞机理阻碍了ZnO压敏陶瓷晶粒的生长;而当T>1000℃时,其晶粒生长动力学指数n≈2.92,激活能Q=187kJ/mol,这是由于熔融的锌硼玻璃通过液相烧结机理促进了晶粒的生长.
关键词:
锌硼玻璃
,
压敏电阻
,
电性能
,
动力学指数
,
激活能
吴隽
,
谢长生
,
黄开金
,
王爱华
,
王文焱
无机材料学报
对掺杂ZnO-V2O5压敏电阻的低温烧结特性及电性能进行了研究.研究结果表明:通过添加硼酸铅锌玻璃“形成”氧化物PbO和B2O3使其在常规电烧结炉中的烧结温度降低到了800℃,并使非线性特性明显提高,添加6wt％(PbO+B2O3)的样品经800℃ 4h烧结后,其非线性系数和漏电流密度可分别达到22.5,7.2×10-6A/cm2.
关键词:
压敏电阻
,
lead zinc borate glass
,
low-temperature sintering
刘素琴
,
黄可龙
,
宋志方
,
彭斌
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2000.02.030
采用溶胶-凝胶(sol-gel)工艺制备ZnO电压敏陶瓷粉体. 探讨其制备的最佳工艺条件：以Zn(NO3)2与NaOH为反应前驱物制取胶体, Zn2+浓度控制在0.5mol*L-1以上，pH值7.5左右，预烧温度300°C，陶瓷烧结温度1200°C；制得的压敏电阻的非线性系数α=28；研究了稀土La2O3 掺杂对该陶瓷电性的影响：低浓度掺杂时，可提高压敏电压，高浓度掺杂时，不呈现压敏特性；对粉体进行了X射线衍射和透射电镜分析，预烧后得到五元掺杂的ZnO粉体粒形呈球状，属六方晶系，粒径分布窄，约为40～80nm.
关键词:
ZnO陶瓷
,
Sol-Gel法
,
压敏电阻
