罗虹霖
,
刘维
,
覃文庆
,
刘瑞增
,
郑永兴
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杨康
,
韩俊伟
中国有色金属学报
针对含多种有价金属的还原挥发氧化锌烟尘，对各元素的挥发特性进行热力学平衡计算、实验室回转窑挥发和中试试验，验证铟镉铅选择性挥发效果，获得高铟物料和脱除氟氯的高锌焙砂的工艺路线。在实验室回转窑中，铟和铅的挥发率分别为93.20%和95.12%，同时，得到含锌67.36%、含氟0.013%和氯0.407%的焙砂。在中试试验中，挥发产物中铟的平均含量超过700g/t，较原料富集比超过2倍，铅的平均挥发率达到98.94%，焙砂中平均锌含量为64.16%，锌焙砂中氟和氯的含量分别降到了0.013%和0.211%，这说明从氧化锌烟尘中分离铟并获得可以满足电解锌要求的焙砂的挥发效果非常显著。
关键词:
烟尘
,
氧化锌
,
铟
,
挥发
朱航宇
,
李正邦
,
杨海森
,
刘吉刚
钢铁研究学报
选取碳酸钙、氧化钙及氧化镁作为添加剂,采用热重分析法及X射线衍射（XRD）分析对比了各添加剂对三氧化钼挥发的抑制效果。研究结果表明,碳酸钙和三氧化钼500℃开始反应,至三氧化钼开始挥发前二者反应已基本完成,且反应速率大于三氧化钼的挥发速率;碳酸钙、氧化钙和氧化镁均能有效抑制三氧化钼的挥发,500～700℃温度区间抑制效果较好,其中碳酸钙对氧化钼挥发的抑制效果优于氧化钙及氧化镁。
关键词:
三氧化钼
,
挥发
,
添加剂
,
低温
庄惠照
,
高海永
,
薛成山
,
董志华
稀有金属材料与工程
通过在不同温度下氨化ZnO/Ga2O3膜,在Si衬底上成功制备了GaN纳米结构材料.氨化前,ZnO层和Ga2O3膜分别通过射频磁控溅射法依次溅射到Si衬底上.用X射线衍射(XRD)、红外傅里叶变换光谱(FTIR)分析了GaN晶体的结构和组分,利用扫描电子显微镜(SEM)观察了样品的形貌.通过对测试结果的分析可知在Si衬底上由ZnO挥发辅助生长出六方纤锌矿GaN纳米结构晶体,并且ZnO/Ga2O3的氨化温度对形成GaN纳米材料具有明显的影响.
关键词:
氨化
,
ZnO/Ga2O3薄膜
,
挥发
,
射频磁控溅射
游志雄
,
文佩丹
,
李光辉
,
张元波
,
姜涛
中国有色金属学报
对含砷铁精矿球团在中性、氧化和还原性气氛以及预氧化-还原焙烧过程中砷的挥发行为进行研究;并结合热力学分析,揭示不同气氛下砷挥发的机理.结果表明:含砷铁精矿球团在中性、弱还原性气氛或经预氧化-弱还原焙烧,均能实现砷的有效挥发.将含砷铁精矿球团在850℃、100％ N2气氛下焙烧10min,砷挥发率达到79.33％,砷含量由0.11％降低至0.023％;在950℃、5％H2、9.5％CO、85.5％CO2(体积分数)的弱还原气氛下焙烧10 min,砷挥发率为82.47％,残余砷含量仅为0.020％;球团在空气气氛下经750℃预氧化10 min后,再经950℃、5％H2、9.5％CO、85.5％CO2条件下还原20 min后,砷的挥发率达到81.76％,残余砷含量为0.021％.砷挥发机理的研究表明,砷在不同气氛下能够以As2(g)、As4(g)或As2O3(g)的形式挥发;但是氧化或还原气氛过强将分别生成砷酸铁和砷化铁影响砷的脱除.
关键词:
砷
,
含砷铁精矿
,
焙烧
,
气氛
,
挥发
