肖婷刘波王新练王春芬任丁
材料研究学报
采用含异丙醇(IPA)的TMAH溶液腐蚀经Si3N4掩膜形成10 μm×10 μm窗口的单晶硅片。在硅片表面得到了内壁光滑的倒金字塔V型口阵列。研究发现: 与纯TMAH对硅的各向异性腐蚀特性相比, 添加IPA使TMAH溶液对硅各个晶面的腐蚀速率减小, 致使含IPA的TMAH溶液对硅的腐蚀速率和各向异性因子比在纯TMAH中要小。通常认为, 腐蚀形成的倒金字塔结构侧壁晶面为(111)面, 但本研究表明, 由各向异性腐蚀形成倒金字塔的侧壁晶面随腐蚀时间发生了一系列转化。在腐蚀开始时, 倒金字塔侧面由(567)面逐渐向(111)面转化; 继续腐蚀时, 腐蚀面偏离(111)面, 向(443)面转化。
关键词:
材料表面与界面
,
wet etching
,
TMAH
,
inverted pyramid-shape structures
,
intersection angles between side planes and (100) plane
赵松楠
,
吕海兵
,
晏良宏
,
袁晓东
,
郑万国
材料导报
为提高三倍频光学元件的表面损伤阈值,采用了不同方式对石英基片进行酸蚀刻,利用原子力显微镜观测了基片蚀刻前后的表面微观形貌,并在激光损伤测量装置上进行了R:1方式的阈值测试,比较分析了蚀刻前后基片激光损伤阈值和表面形貌的变化,并比较了不同抛光质量石英基片蚀刻效果的差异.通过实验研究,总结了不同蚀刻方式的优缺点,研究表明酸蚀刻法可以有效提高石英基片激光损伤阈值.
关键词:
激光损伤阈值
,
湿化学蚀刻
,
石英基片
,
表面形貌
丁彬
,
程现铁
,
徐国庆
,
张宏
人工晶体学报
提出了一种用于大规模多晶硅太阳能电池生产的制绒工艺,采用负性光刻胶作为湿法刻蚀的掩膜,制备蜂巢状低反射率绒面.通过研究氢氟酸/硝酸溶液中各向同性刻蚀时腐蚀坑的形成过程,发现随着刻蚀时间的增加,在掩膜图形的开孔下逐渐形成六方分布的球面形状的腐蚀坑,腐蚀坑的深径比(深度/开孔直径)出现先上升然后下降的趋势.同理论计算值对比发现,随着刻蚀时间增加,掩膜和硅片的附着紧密性及掩膜的阻挡效应降低,酸液可能渗入了掩膜和硅片的界面,横向刻蚀速度快速上升,降低了深径比,导致实际的反射率高于理论计算值.尽管如此,本文还是成功制备了孔径15微米的蜂巢状绒面,反射率达到了22.9％.
关键词:
多晶硅太阳能电池
,
表面制绒
,
湿法刻蚀
,
光刻法
,
负性光刻胶
肖婷
,
刘波
,
王新练
,
王春芬
,
任丁
材料研究学报
采用含异丙醇（IPA）的TMAH溶液腐蚀经Si_3N_4掩膜形成10μm×10μm窗口的单晶硅片。在硅片表面得到了内壁光滑的倒金字塔V型口阵列.研究发现：与纯TMAH对硅的各向异性腐蚀特性相比,添加IPA使TMAH溶液对硅各个晶面的腐蚀速率减小,致使含IPA的TMAH溶液对硅的腐蚀速率和各向异性因子比在纯TMAH中要小,通常认为,腐蚀形成的倒金字塔结构侧壁晶面为（111）面,但本研究表明,由各向异性腐蚀形成倒金字塔的侧壁晶面随腐蚀时间发生了一系列转化。在腐蚀开始时,倒金字塔侧面由（567）面逐渐向（111）面转化;继续腐蚀时,腐蚀面偏离（111）面,向（443）面转化。
关键词:
材料表面与界面
,
湿法腐蚀
,
TMAH溶液
,
倒金字塔结构
,
侧壁晶面夹角
范学丽
,
靖瑞宽
,
翁超
,
陈启省
,
王晏酩
,
肖红玺
,
刘还平
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20163101.0067
随着高分辨率产品导入,TFT-LCD阵列段各项参数范围越来越小,工艺要求更为严格,为了更好地管控湿法刻蚀各项参数,本文以湿法刻蚀FI CD(Final Inspection Critical Dimension)均一性的影响因素及如何提高FI CD均一性为目的进行研究.首先,通过对湿法刻蚀设备参数(主要包括刻蚀液温度、流量、压力、浓度、Nozzle Sliding、Oscillation Speed、刻蚀时间等)进行试验,验证各项参数对FI CD均一性的影响.其次,对沉积工序、曝光工序以及产品设计等进行试验,获悉影响因素并进行改善.通过对湿法刻蚀设备自身参数的调整,如减少设备温度、流量、压力波动,使参数保持相对稳定状态,可有效改善湿法刻蚀FI CD均一性,FI CD的均一性可从1.0降低至0.5.通过对湿法刻蚀设备参数进行试验并做相应调整,湿法刻蚀FI CD均一性改善效果显著.
关键词:
TFT-LCD
,
湿法刻蚀
,
FI CD
,
均一性
陈丽雯
,
叶芸
,
郭太良
,
彭涛
,
周秀峰
,
文亮
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20163104.0363
为了适应LTPS TFT LCD显示屏超高分辨率极细布线的趋势,降低LTPS TFT层间绝缘层过孔刻蚀带来的良率损失,提高产品品质,本文研究了LTPS TFT层间绝缘层过孔刻蚀的工艺优化.实验以干法刻蚀为主刻蚀,湿法刻蚀为辅刻蚀的方式,既结合干法刻蚀对侧壁剖面角及刻蚀线宽的精确控制能力,又利用了湿法刻蚀高刻蚀选择比的优良特性,改善了层间绝缘层刻蚀形貌,减少干法刻蚀对器件有源层的损伤,避免有源层被氧化,防止刻蚀副产物污染开孔表面.实验结果表明,干法辅助湿法刻蚀能基本解决刻蚀过程中过刻、残留的问题,使得层间绝缘层过孔不良良率损失减少73％以上,且TFT源漏电极接触电阻减小约90％,器件开态电流提升约15％.干法辅助湿法刻蚀是一种优化刻蚀工艺,提升产品性能的新方法.
关键词:
LTPS TFT LCD
,
干法刻蚀
,
湿法刻蚀
,
层间绝缘层过孔
,
接触电阻
,
器件性能
周章渝
,
杨发顺
,
杨健
,
王松
,
邓朝勇
,
傅兴华
材料导报
超导薄膜实现布图布线工艺是制备超导电子元件的必要步骤.报道了两种二硼化镁超导薄膜布图布线的湿法刻蚀技术:一种是先利用双氧水( H2O2)刻蚀前驱体硼薄膜,然后将刻蚀的样品放入钽坩埚中在镁蒸气下高温退火,实现了对超导薄膜二硼化镁(MgB2)布图布线的刻蚀；另一种是选用氢氟酸(HF)和硝酸(HNO3)的混合溶液直接在二硼化镁超导薄膜上进行图形刻蚀.通过上述两种方法刻蚀出的MgB2薄膜图形精确度高,超导转变温度Tc都在38K以上,临界电流Ic约为1×106 A/cm2.
关键词:
MgB2超导薄膜
,
布图布线
,
湿法刻蚀
翟莲娜
,
周化岚
,
李小慧
,
顾哲明
,
陈亮
腐蚀学报（英文）
研制了一种可用于氧化铟锡(ITO)透明电极的刻蚀液,研究了其刻蚀效果,并推断刻蚀机理.选用不同pH值的FeCl3水溶液作为刻蚀功能成分,将PEG10000作为介质,以气相SiO2为触变剂制备刻蚀液,用丝网印刷法对ITO电极进行刻蚀实验,研究了不同刻蚀条件对刻蚀效果及ITO电极体积电阻率的影响.结果表明,pH值为1.67时,于80℃,90 min后ITO薄膜的刻蚀效果最优.通过EDS表征ITO电极元素的变化,用原子力显微镜(AFM)观察电极微观形貌的变化.
关键词:
氧化铟锡(ITO)
,
湿法刻蚀
,
丝网印刷
