By FENG Benzheng YANG Deqing Institute of Precious Metals
,
Kunming
,
650221
,
Yunnan
,
China.Physics Department
,
Yunnan University
,
Kunming
,
China.To whom correspondence should be addressed.
材料科学技术(英文)
The work functions before and after crystallization of two glassy alloys,Pd_(83.5)Si_(16.5) and Cu_(70)Ti_(30) have been measured by means of the con- tact potential difference method in the secondary electron field at room temperature under 10~(-5) Pa vacuum.The results show that the work functions of both glassy alloys are higher than those of the corresponding crystalline alloys.
关键词:
work function
,
null
,
null
丁俊
,
李金铭
,
陈卫光
,
王建军
,
孙强
,
贾瑜
材料导报
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,研究了2~16层Bi(111)薄膜的表面能和功函数,它们展现出量子尺寸效应引起的奇偶振荡.解释这种振荡需要考虑表面投影能带结构,振荡周期与量子阱态在二维布里渊区中高对称点费米能级处的穿越有关,量子阱态穿越费米能级亦引起态密度在费米能级处振荡,预示传导性质的振荡转变.
关键词:
表面能
,
功函数
,
量子阱态
,
量子尺寸效应
张滨
,
孙玉珍
,
王文皓
物理测试
详细介绍了紫外光电子谱(UPS)测量功函数的原理与实验方法,测量了金属镍、银和ITO靶材的功函数,并对测量方法和误差进行了讨论,表明这个方法更适用于测量功函数变化。
关键词:
功函数
,
UPS
曾利霞
,
徐忠锋
,
赵永涛
,
吴帆
,
刘学良
,
程锐
,
周贤明
,
雷瑜
,
刘世东
,
张艳宁
原子核物理评论
doi:10.11804/NuclPhysRev.33.03.365
在兰州重离子加速器国家实验室测量了1.8 MeV Xeq+离子分别轰击N型和P型Si两种靶材表面时的电子发射产额。实验中,通过改变入射离子的电荷态,研究了入射离子势能沉积对两种靶材表面电子发射产额的贡献。结果发现同一离子入射时,N型Si表面的电子发射产额高出P型Si表面的电子发射产额约12.5%;对于具有相同入射动能的Xeq+离子,两种靶材表面的电子发射产额均随着入射离子势能的增加而线性增加。此外,还测量了3.4 MeV Xeq+离子分别轰击以上两种靶材时的电子发射产额,得到了类似的结果。本文利用功函数分别从动能电子发射和势能电子发射两个角度对实验结果进行了分析讨论。
关键词:
高电荷态离子
,
电子发射产额
,
阈值速度
,
功函数
王梅丰
,
魏红阳
,
陈东初
,
万斌
,
刘桂宏
,
李光东
腐蚀与防护
doi:10.11973/fsyfh-201611008
采用开尔文探针技术测量不同表面粗糙度不锈钢表面的功函数,得到功函数对应的粗糙度关系.其中表面粗糙度为0.25 μm的不锈钢试样的功函数最低,为(-450±15)eV,随着表面粗糙度减小到0.10μm,功函数则升高到(-200±5)eV.并采用三维视频显微镜技术对不锈钢早期点蚀坑进行分析,从而了解不锈钢表面状态对点蚀敏感性的影响.结果表明,表面粗糙度高的不锈钢表面功函数波动很大,点蚀敏感区易发生点蚀,与三维视频显微镜监测结果一致.
关键词:
304不锈钢
,
三维视频显微镜
,
开尔文探针
,
功函数
代利峰
,
安立宝
,
陈佳
航空材料学报
doi:10.11868/j.issn.1005-5053.2016.5.015
与金属之间过高的接触电阻是影响碳纳米管在微纳电子器件中应用的关键因素之一,本文从形成机理和改善方法两个方面综述了近年来碳纳米管接触电阻的研究进展。介绍了利用第一性原理对碳纳米管与金属界面电子输运性能的理论研究,以及金属功函数对界面势垒调试作用的实验研究。研究表明金属与碳纳米管之间具有较弱的杂化作用和较长的接触长度时,接触电阻较小;金属与碳纳米管功函数越接近,势垒高度越低。阐述了超声焊接技术、高温退火法、金属沉积法、局部焦耳热法等常用降低碳纳米管接触电阻方法的作用机理,并分析了这些方法对器件性能的改善作用。其中局部焦耳热法操作简单、易于自动化、对器件损害小、成本低,是目前比较理想的降低碳纳米管接触电阻的方法。
关键词:
碳纳米管
,
接触电阻
,
第一性原理
,
功函数
,
降阻方法
姚尧
,
肖少庆
,
刘晶晶
,
顾晓峰
人工晶体学报
运用模拟软件AFORS-HET对TCO/a-Si∶ H(n)/a-Si∶ H(i)/c-Si(p)/Ag结构的异质结(HIT)太阳电池进行仿真,分析其光伏输出特性随发射层掺杂浓度、晶硅衬底掺杂浓度、透明导电氧化物薄膜(TCO)的选择以及TCO功函数的变化规律.结果显示,当发射层掺杂浓度大于1.0×1020 cm-3,晶硅衬底掺杂浓度大于1.2×1016 cm3,以ZnO为TCO层且ZnO的功函数低于4.4 eV时,电池的开路电压、短路电流密度、填充因子及电池转换效率达到最优值,光电转换效率最高达到19.18%.
关键词:
异质结太阳电池
,
透明导电氧化物薄膜
,
AFORS-HET
,
功函数
赖陈
,
王金淑
,
周帆
,
王茜
,
刘伟
,
杨帆
稀有金属
采用喷雾干燥结合两步氢还原法制备出W-Re混合粉末,并在此基础上通过压制、烧结和浸渍工艺制备出W-Re混合基浸渍型阴极.采用SEM、XRD、AES对W-Re混合基阴极的微观形貌、物相、表面活性元素进行表征分析,并用电子发射测试系统测试阴极在950-1050℃的脉冲电子发射性能.结果表明,铼的含量决定了阴极基体的物相,铼含量为75%(原子分数)的W-75Re阴极由Re3W单一物相组成,该阴极由于铼含量较高使得基体晶粒尺寸更细小,有利于活性自由钡的生成及其在阴极表面的扩散,从而W-75Re阴极具有相对较低的逸出功和较高的发射电流密度,其在1000℃b时的零场脉冲发射电流密度为14.03 A·cm-2,有效逸出功为1.902 eV.
关键词:
喷雾干燥
,
W-Re混合粉末
,
铼钨混合基阴极
,
脉冲发射
,
逸出功