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钇硅化物的合成及相变研究

谢二庆 , 王文武 , 姜宁 , 贺德衍

无机材料学报

利用离子注入的方法在Si（111）衬底上制备出了具有六方结构的稀土硅化物YSi₂埋层,并对其进行了结构及电学特性的研究.钇注入剂量为1×10¹⁸Y⁺cm^-2,注入能量为100keV.利用X射线衍射（XRD）及卢瑟...

关键词: 硅化钇 , In-situ sheet resistance , ion implantation